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器件类型半导体
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Image: ADUM3123 ADUM3123 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：4.0 A 隔离式工作电压 副边至输入端： 537 V 高工作频率： 1 mhz（最大值） 3.3 V至5 V输入逻辑 4.5V至18 V输出驱动 uvlo：2.5 V vdd1 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：64 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度： >25 kV/µs 工作结温高达： 125°C 默认低电平输出 8引脚窄体soic封装
Image: ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image: ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长
Image: ADuM4138 ADuM4138 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 6 A 峰值驱动输出能力（典型值） 内部关闭 nfet，导通电阻：<1 Ω 内部打开 pfet，导通电阻：<1.2 Ω 2 种过流保护方法 去饱和检测 分裂式发射器过流保护 具有栅极感应输入的米勒箝位输出 隔离式故障输出 隔离式温度传感器回读 传播延迟 上升：95 ns（典型值） 下降：100 ns（典型值） 最小脉冲宽度：74 ns
Image: ADuM4122 ADuM4122 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns
Image: ADuM4137 ADuM4137 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 6 A 峰值驱动器输出功能 内部关闭 nfet，导通电阻：<0.95 Ω 内部打开 pfet，导通电阻：<1.18 Ω 分裂式发射器过流保护 具有栅极感应输入的米勒箝位输出 隔离式故障输出 隔离式温度传感器回读 传播延迟 上升：105 ns（典型值） 下降：107 ns（典型值） 最小脉冲宽度：70 ns 工作结温范围（−40°C 至 +150°C）
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 适用于汽车电子 应用 具有符合 aec-q100 标准的下列结果： 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围 器件人体放电模式 (hbm) 分类等级 2 器件组件充电模式 (cdm) 分类等级 C6 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 最大引导电压 120v 直流 4A 吸收，4A 源输出电流 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 8V 至 17v vdd 运行范围（绝对最大值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载时） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 延迟匹配 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 采用行业标准 SO-powerpad soic-8 封装 －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: LMG1205 LMG1205 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 独立高低侧 ttl逻辑输入 1.2-A峰值电源，5-A吸收电流 高压侧浮动偏压轨 工作电压高达100 vdc 内部自举电源电压箝位 可调分体式输出 打开，关闭力量 0.6-Ω下拉，2.1-Ω上拉电阻 快速传播时间（典型35 ns） 优良的传播延迟匹配 （典型值为1.5 ns） 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: UCC27212A-Q1 UCC27212A-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 4-A水槽，4-A源输出电流 最大启动电压120-V DC 7-V至17-V vdd工作范围 20-V abs最大vdd工作范围 5 V欠压关闭锁定（uvlo） 输入引脚可承受-10 V至+20 V 7.2-ns上升和5.5-ns下降时间（1000 pF负载） 20 ns典型传播延迟 4-ns典型延迟匹配 规定温度为-40°C至+140°C
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UC2950 UC2950 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 源或汇4.0A 电源电压为35v 大电流输出二极管 三态运行 ttl和cmos输入兼容性 过温度保护 300khz操作 低成本TO-220套餐
Image: TPS2833 TPS2833 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 浮动引导或接地参考高压侧驱动器 自适应死区控制 50 ns最大上升/下降时间和100 ns最大传播延迟\x96 3.3-nF负载 适用于大电流单相或多相电源 2.4-A典型峰值输出电流 4.5-V至15-V电源电压范围 内肖特基自举二极管 低电源电流….3-mA典型值 \虚拟工作温度125°C至9640°C 提供soic封装
Image: TPS2832 TPS2832 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 浮动引导或接地参考高压侧驱动器 自适应死区控制 50 ns最大上升/下降时间和100 ns最大传播延迟\x96 3.3-nF负载 适用于大电流单相或多相电源 2.4-A典型峰值输出电流 4.5-V至15-V电源电压范围 内肖特基自举二极管 低电源电流….3-mA典型值 \虚拟工作温度125°C至9640°C 提供soic封装
Image: TPS2831 TPS2831 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 浮动引导或接地参考高压侧驱动器 自适应死区控制 50 ns最大上升/下降时间和100 ns最大传播延迟\x96 3.3-nF负载 适用于大电流单相或多相电源 2.4-A典型峰值输出电流 4.5-V至15-V电源电压范围 内肖特基自举二极管 同步或非同步操作的同步控制 用于ovp的撬杆，防止出现故障的高压侧电源fet 低电源电流….3-mA典型值 \x9640°C至125°C工作虚拟结温度范围 提供soic和tssop powerpad封装
Image: TPS2830 TPS2830 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 浮动引导或接地参考高压侧驱动器 自适应死区控制 50 ns最大上升/下降时间和100 ns最大传播延迟\x96 3.3-nF负载 适用于大电流单相或多相电源 2.4-A典型峰值输出电流 4.5-V至15-V电源电压范围 内肖特基自举二极管 同步或非同步操作的同步控制 用于ovp的撬杆，防止出现故障的高压侧电源fet 低电源电流….3-mA典型值 \x9640°C至125°C工作虚拟结温度范围 提供soic和tssop powerpad封装
Image: TPS2837 TPS2837 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 浮动引导或接地参考高压侧驱动器 自适应死区控制 50 ns最大上升/下降时间和100 ns最大传播延迟\x96 3.3-nF负载 适用于大电流单相或多相电源 2.4-A典型峰值输出电流 4.5-V至15-V电源电压范围 内肖特基自举二极管 同步或非同步操作的同步控制 用于ovp的撬杆，防止出现故障的高压侧电源fet 低电源电流….3-mA典型值 \x9640°C至125°C工作虚拟结温度范围 提供soic和tssop powerpad封装

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