型号: 9013
厂商: Wing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components
描述: npn silicon transistor
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NPN SILICON TRANSISTOR  
9013  
TO 92  
FEATURES  
1.EMITTER  
发 射 极  
2.BASE  
Power dissipation  
最大耗散功率  
基 极  
PCM : 0.625  
Collector current  
ICM  
W
Tamb=25  
3.COLLECTOR  
最大集电极电流  
电 极  
:
0.5  
A
1 2 3  
Collector-base voltage  
V(BR)CBO : 45  
集电极--基极击穿电压  
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
环境温度  
unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
最小值  
TYP  
典型值  
MAX  
最大值  
UNIT  
单位  
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
45  
25  
5
V
V
V
A
A
A
Ic= 100  
A
IE=0  
电 极 - - 基 极 击 穿 电 压  
Collector-emitter breakdown voltage  
集 电 极 - - 发 射 极 击 穿 电 压  
Ic= 0. 1 mA  
IB=0  
IC=0  
IE=0  
IB=0  
IC=0  
Emitter-base breakdown voltage  
IE= 100  
VCB= 40  
VCE= 20  
A
V
V
V
射 极 - - 基 极 击 穿 电 压  
Collector cut-off current  
集 电 极 - - 基 极 截 止 电 流  
0.1  
0.1  
0.1  
300  
Collector cut-off current  
集 电 极 - - 发 射 极 截 止 电 流  
ICEO  
Emitter cut-off current  
发 射 极 - - 基 极 截 止 电 流  
IEBO  
VEB=  
5
HFE  
VCE= 1 V, IC= 50 mA  
VCE= 1V, IC =500 mA  
IC= 500 mA, IB=50 mA  
IC= 500mA, IB= 50 mA  
IE=100mA  
64  
40  
1
DC current gain(note)  
HFE  
2
Collector-emitter saturation voltage  
集 电 极 - - 发 射 极 饱 和 压 降  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
0.6  
1.2  
1.4  
V
V
V
Base-emitter saturation voltage  
基极--发射极饱和压降  
Base-emitter voltage  
基极--射极正向电压  
VCE= 6 V, IC= 20 mA  
f =30MHz  
Transition frequency  
150  
MHz  
fT  
CLASSIFICATION OF HFE(1)  
分类  
Rank  
档次  
D
E
F
G
H
I
Range  
范围  
64-91  
78-112  
96-135  
112-166  
144-220  
190-300  
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.  
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153  
E-mail: wsccltd@hkstar.com