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Infineon Technologies 
BSS806NEH6327XTSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 2.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 57 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 0.55 V |
| Qg - Gate Charge： | 1.7 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 500 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 3.7 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 9 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 9.9 ns |
| Series： | BSS806 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 12 ns |
| Part # Aliases： | SP000999336 |
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