厂商Cree Inc 半导体分离式半导体 CGHV1J025D 数据手册，datasheet pdf下载

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型号：	CGHV1J025D
厂商：	Cree Inc
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors RF jfet DC-18ghz 25w gan gain@10ghz 17db
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CGHV1J025D的详细信息

Manufacturer：	Cree, Inc.
Product Category：	Transistors RF JFET
RoHS：	Yes
Type：	GaN
Transistor Polarity：	N-Channel
Forward Transconductance - Min：	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：	100 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage：	- 10 V to + 2 V
Maximum Drain Gate Voltage：	-
Id - Continuous Drain Current：	2 A
Frequency：	10 MHz to 18 GHz
Gain：	17 dB
Pd - Power Dissipation：	-
Maximum Operating Temperature：	-
Mounting Style：	SMD/SMT
Package / Case：	Die
Packaging：	Waffle
Brand：	Cree, Inc.
Ciss - Input Capacitance：	5.1 pF
Configuration：	Single
Development Kit：	-
Drain-Source Current at Vgs=0：	-
Gate-Source Cutoff Voltage：	-
Minimum Operating Temperature：	-
Noise Figure：	-
Operating Temperature Range：	-
Output Power：	25 W
P1dB：	-
Product：	GaN HEMT
Rds On - Drain-Source Resistance：	0.6 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：	- 3V

CGHV1J025D