 |
Diodes Incorporated 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
DMN3190LDW-7的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 190 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 2 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 320 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-363-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 15.6 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 0.7 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 8.9 ns |
| Series： | DMN3190L |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 30.3 ns |
扫码手机查看更方便
同类器件
