EPC8002ENGR的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| EPC8002 Preliminary Datasheet： | |
| eGaN®： | |
| FET Brief： | |
| Product Photos： | |
| 917-EPC800： | |
| Mfg Application Notes： | |
| Assembling eGaN®： | |
| FETS： | |
| Die Attach Procedure： | |
| Die Removal Procedure： | |
| Standard Package ： | 10 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | eGaN® |
| Packaging ： | Tray |
| FET Type： | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 65V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 21pF @ 32.5V |
| Power - Max： | - |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | Die |
| Supplier Device Package： | Die |
| Dynamic Catalog： | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names： | 917-EPC8002ENGREPC8002ENGI |
扫码手机查看更方便
同类器件
