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FDWS9509L-F085的详细信息
制造商: | ON Semiconductor |
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产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 详细信息 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DFN-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 65 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Vgs - 栅极-源极电压: | 16 V |
Qg-栅极电荷: | 48 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
配置: | Single Triple Source Quad Drain |
Pd-功率耗散: | 107 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
晶体管类型: | 1 P-Channel Power Trench MOSFET |
商标: | ON Semiconductor |
CNHTS: | 8541290000 |
下降时间: | 71 ns |
HTS Code: | 8541290095 |
MXHTS: | 85412999 |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 5 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 198 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
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