Image IGO60R070D1AUMA1
型号: IGO60R070D1AUMA1
厂商: Infineon Technologies Infineon Technologies
标准:
分类: 半导体晶体管
描述: mosfet 600v coolgan power transistor
报错 收藏

Datasheet下载地址

本地下载 >>

IGO60R070D1AUMA1的详细信息

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-DSO-20
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V
Qg-栅极电荷: 5.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolGaN
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 10 ns
HTS Code: 8541290095
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SP001300362