 |
| 型号： | IHW15N120R3 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | igbt transistors IH seriesrev conduct igbt monolithic body |
| PDF： | 预览 |
| 报错 收藏 赞 | |
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
IHW15N120R3的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.7 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 30 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 254 W |
| Package / Case： | PG-TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max： | 15 A |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Series： | IHW15N120 |
| Factory Pack Quantity： | 240 |
| Part # Aliases： | IHW15N120R3FKSA1 SP000521590 |
扫码手机查看更方便
同类器件
