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MAGX-000912-125L00的详细信息
| Manufacturer： | MACOM |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF JFET |
| RoHS： | Yes |
| Type： | GaN SiC HEMT |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Forward Transconductance - Min： | 2.5 S |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 175 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 4 A |
| Frequency： | 0.96 GHz to 1.2 GHz |
| Gain： | 19.2 dB |
| Pd - Power Dissipation： | 230 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 95 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | Flange Ceramic-2 |
| Packaging： | Bulk |
| Brand： | MACOM |
| Configuration： | Common Source |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Operating Temperature Range： | - 40 C to + 95 C |
| Output Power： | 125 W |
| Product： | RF JFET |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 3.8 V |
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