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NE5511279A-T1-A的详细信息
| Manufacturer： | CEL |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | CEL |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Frequency： | 900 MHz |
| Gain： | 15 dB |
| Output Power： | 40 dBm |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 3 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 6 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | 79A |
| Packaging： | Reel |
| Forward Transconductance - Min： | 0.0023 S |
| Pd - Power Dissipation： | 20 W |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.5 V |
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