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ON Semiconductor 
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NTMD5836NLR2G的详细信息
| Manufacturer： | ON Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 9.5 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 36 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 85 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.5 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOIC-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | ON Semiconductor |
| Fall Time： | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 10.5 S / 6 S |
| Rise Time： | 22 ns |
| Series： | NTMD5836NL |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
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- Package Drawing: SOIC-8 Narrow Body
- Simulation Model: Spice3 Model
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