Rohm Semiconductor 
RF4E110BNTR的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| RF4E110BN： | |
| Standard Package ： | 3,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | - |
| Packaging ： | * |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 11A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 11.1 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 15V |
| Power - Max： | 2W |
| Mounting Type： | * |
| Package / Case： | * |
| Supplier Device Package： | * |
| Other Names： | RF4E110BNTRTR |
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