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SI2309DS-T1-GE3的详细信息
制造商: | Vishay |
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产品种类: | MOSFET 小信号 |
RoHS: | 是 |
配置: | Single |
晶体管极性: | P-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.275 Ohms |
栅极电荷 Qg: | 5.4 nC |
汲极/源极击穿电压: | - 60 V |
漏极连续电流: | - 1.25 A |
功率耗散: | 1.25 W |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-236 |
封装: | Reel |
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