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Vishay Siliconix 
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SI6562CDQ-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N and P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 5.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 18 mOhms, 24 mOhms |
| Configuration： | Dual Dual Source |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.1 W, 1.2 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSSOP-8 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 10 nS, 25 nS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 10 nS, 25 nS |
| Series： | SI6562CDQ |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 25 nS, 45 nS |
| Part # Aliases： | SI6562CDQ-GE3 |
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