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Image SIDR622DP-T1-GE3
型号: SIDR622DP-T1-GE3
厂商: Vishay
标准:
分类: 半导体晶体管
描述: mosfet 150v vds 20v vgs powerpak SO-8dc
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SIDR622DP-T1-GE3的详细信息

制造商: Vishay 产品种类
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 64.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: SID
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 33 S
CNHTS: 8541290000
下降时间: 6 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 13 ns