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Vishay Siliconix 
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SiHB6N65E-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 600 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 48 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 78 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Bulk |
| Fall Time： | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 2 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 12 ns |
| Series： | E |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 30 ns |
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