单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF634PBF MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB Vishay Siliconix	6,365 现货	1 : ¥9.69000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF634STRRPBF MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥17.16000 剪切带（CT） 800 : ¥9.57661 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF634STRLPBF MOSFET N-CHANNEL 250V Vishay Siliconix	0 现货查看交期	800 : ¥5.57876 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	-	-	-	8.1A（Tc）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF634 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF634S MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF634L MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK Vishay Siliconix	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	I2PAK	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF634NPBF MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8A（Tc）	10V	435 毫欧 @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），88W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF634SPBF MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF634 MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB STMicroelectronics	0 现货	停产	MESH OVERLAY™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	51.8 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
IRF634B-FP001 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.1A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±30V	1000 pF @ 25 V	-	74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3