单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A(Tc)23A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
117 毫欧 @ 11A,10V117 毫欧 @ 14A,10V200 毫欧 @ 11A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61 nC @ 10 V97 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),110W(Tc)3.7W(Ta),150W(Tc)3.8W(Ta),140W(Tc)140W(Tc)150W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKI2PAKTO-220ABTO-262TO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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17结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
8,302
现货
1 : ¥11.30000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA97 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-140W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
4,374
现货
1 : ¥15.53000
剪切带(CT)
800 : ¥8.67593
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 14A,10V4V @ 250µA110 nC @ 10 V±20V1450 pF @ 25 V-3.1W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
2,798
现货
1 : ¥16.83000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF9540STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
5,264
现货
1 : ¥23.09000
剪切带(CT)
800 : ¥12.90820
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-3.7W(Ta),150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF9540PBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,751
现货
1 : ¥16.83000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)-200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-262-3
IRF9540NLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Infineon Technologies
1,671
现货
1 : ¥20.49000
管件
管件
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 14A,10V4V @ 250µA110 nC @ 10 V±20V1450 pF @ 25 V-3.1W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-262TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263AB
IRF9540SPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
4
现货
1 : ¥29.59000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-3.7W(Ta),150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
5
现货
1 : ¥12.93000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 14A,10V4V @ 250µA110 nC @ 10 V±20V1450 pF @ 25 V-3.1W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF9540
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF9540S
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-3.7W(Ta),150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF9540STRL
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-3.7W(Ta),150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-262-3
IRF9540NL
MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA97 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-3.8W(Ta),140W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-262TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
IRF840ALPBF
IRF9540L
MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V---55°C ~ 175°C(TJ)--通孔I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRR
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA97 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-3.8W(Ta),140W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF9540STRR
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V19A(Tc)10V200 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-3.7W(Ta),150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 14A,10V4V @ 250µA110 nC @ 10 V±20V1450 pF @ 25 V-3.1W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB Pkg
AUIRF9540N
MOSFET P-CH 100V 23A TO220
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
管件
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA97 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-140W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-220ABTO-220-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。