单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesIXYSonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MegaMOS™PowerMESH™ II
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.4A(Tc)20A(Tc)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
240 毫欧 @ 10A,10V240 毫欧 @ 12A,10V250 毫欧 @ 10A,10V270 毫欧 @ 11A,10V270 毫欧 @ 12A,10V270 毫欧 @ 9A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
105 nC @ 10 V116 nC @ 10 V120 nC @ 10 V124 nC @ 10 V128 nC @ 10 V170 nC @ 10 V190 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2980 pF @ 25 V3094 pF @ 100 V3100 pF @ 25 V3208 pF @ 100 V3540 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V4100 pF @ 25 V4200 pF @ 25 V6000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
220W(Tc)235W(Tc)260W(Tc)278W(Tc)280W(Tc)329W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
供应商器件封装
TO-247-3TO-247ACTO-247ADTO-3P
封装/外壳
TO-247-3TO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
搜索条目

显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
6,057
现货
1 : ¥36.83000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA210 nC @ 10 V±20V4200 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460BPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
463
现货
1 : ¥26.34000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V250 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA170 nC @ 10 V±20V3094 pF @ 100 V-278W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
7,101
现货
1 : ¥38.94000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA105 nC @ 10 V±30V3100 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460LCPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
583
现货
1 : ¥42.11000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA120 nC @ 10 V±30V3600 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247AC
IRFP460HPBF
POWER MOSFET TO-247AC, 270 M @ 1
Vishay Siliconix
990
现货
1 : ¥28.29000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA116 nC @ 10 V±30V3208 pF @ 100 V-329W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
0
现货
400 : ¥33.64340
管件
-
管件
不适用于新设计----------------
TO-247-3 AC EP
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA210 nC @ 10 V±20V4200 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460A
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA105 nC @ 10 V±30V3100 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460LC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA120 nC @ 10 V±30V3600 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460P
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)-270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA210 nC @ 10 V-4200 pF @ 25 V---55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AD EP
IRFP460_R4943
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)-270 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA190 nC @ 10 V-4100 pF @ 25 V---通孔TO-247-3TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
IXYS
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA210 nC @ 10 V±20V4200 pF @ 25 V-260W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ADTO-247-3
TO-247-3 HiP
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V18.4A(Tc)10V270 毫欧 @ 9A,10V4V @ 250µA128 nC @ 10 V±30V2980 pF @ 25 V-220W(Tc)150°C(TJ)通孔TO-247-3TO-247-3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V270 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA210 nC @ 10 V±20V4200 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460NPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V240 毫欧 @ 12A,10V5V @ 250µA124 nC @ 10 V±30V3540 pF @ 25 V-280W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-247ACTO-247-3
TO-3P-3,TO-247-3
IRFP460C
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V20A(Tc)10V240 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA170 nC @ 10 V±30V6000 pF @ 25 V-235W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-3PTO-3P-3,SC-65-3
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。