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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: FSA2259 FSA2259 Fairchild Semiconductor 半导体 low-voltage, dual-spdt (0.8？？) analog switch with 16kv esd
Image: HV-T76 HV-T76 Diodes Incorporated 半导体 二极管/齐纳阵列 5ma 16kv 80ns-high voltage diodes
Image: HV-T75 HV-T75 Diodes Incorporated 半导体 二极管/齐纳阵列 5ma 16kv 80ns-high voltage diodes
Image: TCAN1051V-Q1 TCAN1051V-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 aec q100：符合汽车类 应用标准 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 -40°C 至 125°C 器件 hbm 分类等级：±16kv 器件 cdm 分类等级 ±1500v 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 “turbo”can： 所有器件均支持经典 can 和 2mbps can FD（灵活数据速率），而“G”选项支持 5mbps 短暂且对称的传播延迟时间以及针对增强型时序裕量的快速循环时间 在有负载 can 网络中实现更快的数据速率 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微控制器 (mcu) 未上电时的理想无源特性 总线和逻辑引脚处于高阻态（无负载） 上电和掉电时总线和 rxd 输出上无毛刺脉冲 保护 特性
Image: TCAN1051G-Q1 TCAN1051G-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 aec q100：符合汽车类 应用标准 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 -40°C 至 125°C 器件 hbm 分类等级：±16kv 器件 cdm 分类等级 ±1500v 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 “turbo”can： 所有器件均支持经典 can 和 2mbps can FD（灵活数据速率），而“G”选项支持 5mbps 短暂且对称的传播延迟时间以及针对增强型时序裕量的快速循环时间 在有负载 can 网络中实现更快的数据速率 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微控制器 (mcu) 未上电时的理想无源特性 总线和逻辑引脚处于高阻态（无负载） 上电和掉电时总线和 rxd 输出上无毛刺脉冲 保护 特性
Image: SN65HVD230 SN65HVD230 Texas Instruments 半导体 接口 由 3.3V 单电源供电 符合 iso 11898-2 标准 pca82c250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (esd) 保护超过 ±16kv 人体模型 (hbm) 高输入阻抗，允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 sn65hvd230 和 sn65hvd231 sn65hvd230：低电流待机模式 370µA（典型值
Image: SN65HVD231 SN65HVD231 Texas Instruments 半导体 接口 由 3.3V 单电源供电 符合 iso 11898-2 标准 pca82c250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (esd) 保护超过 ±16kv 人体模型 (hbm) 高输入阻抗，允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 sn65hvd230 和 sn65hvd231 sn65hvd230：低电流待机模式 370µA（典型值）
Image: SN65HVD232 SN65HVD232 Texas Instruments 半导体 接口 由 3.3V 单电源供电 符合 iso 11898-2 标准 pca82c250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (esd) 保护超过 ±16kv 人体模型 (hbm) 高输入阻抗，允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 sn65hvd230 和 sn65hvd231 sn65hvd230：低电流待机模式 370µA（典型值） sn65hvd231：超低电流休眠模式 40na（典型值） 针对高达 1mbps 的数据速率(1) 而设计 热关断保护 开路故障安全设计 针对热插拔 应用的无毛刺脉冲上电和断电保护 (1)
Image: SN65HVD233 SN65HVD233 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗 sn65hvd235：自动波特环回模式 热关断保护 加电和断电时总线输入和输出上无干扰 具有低 vcc 的高输入阻抗 功率循环过程中单片输出 all trademarks are the property of their respective owners. 部分显示
Image: SN65HVD234 SN65HVD234 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗
Image: SN65HVD235 SN65HVD235 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗 sn65hvd235：自动波特环回模式 热关断保护
Image: ISO1042 ISO1042 Texas Instruments 半导体 接口 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V 优异的电磁兼容性 (emc) 系统级 esd、eft 和浪涌抗扰性
Image: ISO1042-Q1 ISO1042-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 符合面向汽车应用的 aec q100 标准 等级 1：–40°C 至 125°C 的环境温度范围 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 支持经典的最高 1mbps can 和最高 5mbps FD（灵活数据速率） 低环路延迟：152ns 保护 功能 直流总线故障保护电压：±70v 总线引脚的 hbm esd 容差：±16kv 驱动器显性超时 (txd dto) vcc1 和 vcc2 欠压保护 共模电压范围：±30v 未上电时的理想无源、高阻抗总线终端 高 cmti：100kv/µs vcc1 电压范围：1.71v 至 5.5V 支持连接到 can 控制器的 1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 逻辑接口 vcc2 电压范围：4.5V 至 5.5V

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