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Image: BM2P039-Z BM2P039-Z Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v MOSFET_bm2p039-Z AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2p039-Z为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘等效，可轻松设计各种形式的低功耗转换器。内置650v耐压压开关电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，可进行逐周期电流限制，发挥带宽和瞬态响应的优异性能。开关频率固定为100khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，有助于实现低emi。
Image: BM2P034 BM2P034 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P034 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P033 BM2P033 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P033 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P032 BM2P032 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P032 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P031 BM2P031 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P031 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P016T BM2P016T Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v MOSFET_bm2p016t 用于AC / DC的pwm型DC / DC转换器（bm2p016t）为包括电源插座的所有产品提供了最佳系统。bm2p016t同时支持隔离和非隔离设备，从而简化了各种类型的低功耗电气转换器的设计。bm2p016t内置可承受650v电压的HV启动器电路，有助于降低功耗。使用用于开关的电流检测电阻作为外部设备，可以实现更高的设计自由度。由于采用电流模式控制，因此在每个周期中都受到电流的限制，并且在带宽和瞬态响应方面表现出出色的性能。开关频率为65 khz。在轻负载下，开关频率降低，并且实现了高效率。片上还具有跳频功能，有助于降低emi。我们可以轻松设计
Image: BM2P014 BM2P014 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P014 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P013 BM2P013 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P013 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P012 BM2P012 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P012 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P011 BM2P011 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P011 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: RF4E080GN RF4E080GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E080GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E080BN RF4E080BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E080BN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E075AT RF4E075AT Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -30v -7.5A中功率mosfet_rf4e075at rf4e075at是小型大功率型封装的中功率mosfet，适用于开关，负荷开关用途。
Image: RF4E070GN RF4E070GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E070GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E070BN RF4E070BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E070BN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E060AJ RF4E060AJ Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 6A中功率mosfet_rf4e060aj rf4e060aj是大功率封装且低导通电阻的适用于开关用途的mosfet。
Image: RF4C100BC RF4C100BC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -10a中功率mosfet_rf4c100bc rf4c100bc是低导通电阻，小型大功率封装的中功率mosfet。适用于开关，负荷开关用途。
Image: RF4C050AP RF4C050AP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -10a中功率mosfet_rf4c050ap rf4c050ap是低导通电阻，小型大功率封装的mosfet，适用于开关和负载开关用途。
Image: RE1L002SN RE1L002SN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch mosfet_RE1L002SN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1J002YN RE1J002YN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 0.9V驱动nch mosfet_RE1J002YN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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