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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: STL30NF3LL STL30NF3LL STMicroelectronics N-channel 30v - 0.008ohm - 30a powerflat⑩ low gate charge stripfet⑩ mosfet
Image: STL35NF10 STL35NF10 STMicroelectronics N-channel 100v - 0.025ohm - 35a powerflat⑩ low gate charge stripfet⑩ mosfet
Image: STL35NF3LL STL35NF3LL STMicroelectronics N-channel 30v - 0.0055ohm - 35a powerflat⑩ low gate charge stripfet⑩ mosfet
Image: STL5NK65Z STL5NK65Z STMicroelectronics N-channel 650v - 1.5ohm - 4.2A powerFLAT⑩ zener-protected supermesh⑩power mosfet
Image: STL6NK55Z STL6NK55Z STMicroelectronics N-channel 550v - 1.2ohm- 5.2A powerFLAT⑩ zener-protected supermesh⑩power mosfet
Image: STL9NK30Z STL9NK30Z STMicroelectronics N-channel 300v - 0.36ohm - 9A powerFLAT⑩ zener-protected supermesh⑩power mosfet
Image: STL80NF3LL STL80NF3LL STMicroelectronics N-channel 30v - 0.0045ohm - 80a powerflat(6x5) stripfet II mosfet
Image: STL20NM20N_06 STL20NM20N_06 STMicroelectronics N-channel 200v - 0.088?? - 20a powerflat?? ultra low gate charge mdmesh?? II mosfet
Image: L80N4LLF3 L80N4LLF3 STMicroelectronics N-channel 40v - 0.0042ohm - 80a - powerFLAT (6x5) stripfet power mosfet for DC-DC conversion
Image: L60NH3LL L60NH3LL STMicroelectronics N-channel 30v - 0.0065ohm - 30a - powerFLAT (6x5) ultra low gate charge stripfet power mosfet
Image: L50NH3LL L50NH3LL STMicroelectronics N-channel 30v - 0.011ohm - 13a - powerFLAT (6x5) ultra low gate charge stripfet power mosfet
Image: STL10N60M6 STL10N60M6 STMicroelectronics 半导体 晶体管 采用powerflat 5x6 HV封装的N沟道600 V，典型550 mohm，5.5 A mdmesh M6功率mosfet
Image: STL11N65M2 STL11N65M2 STMicroelectronics 半导体 晶体管 N通道650 V，0.62 ohm典型值，5 A mdmesh M2功率mosfet，采用powerflat 5x5 HV封装
Image: STL17N60M6 STL17N60M6 STMicroelectronics 半导体 晶体管 N沟道600 V，0.29 ohm典型值，12 A mdmesh M6功率mosfet，采用powerflat 8x8封装
Image: STL260N4F7 STL260N4F7 STMicroelectronics 半导体 晶体管 N通道40 V，1.05 mO（典型值），120 A stripfet F7功率mosfet，采用powerflat 5x6封装
Image: STL47N60M6 STL47N60M6 STMicroelectronics 半导体 晶体管 N通道600 V，典型值70 mohm，31 A mdmesh M6功率mosfet，采用powerflat 8x8 HV封装
Image: STL9N65M2 STL9N65M2 STMicroelectronics 半导体 二极管，整流器 - 阵列 N通道650 V，典型值为0.85欧姆，4.5 A mdmesh M2功率mosfet，采用powerflat 5x5 HV封装
Image: FERD15S50 FERD15S50 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 这款整流二极管基于专有技术，能达到单位面积内最好的 VF/IR比。 该场效应整流二极管采用powerflat™5x6封装，可用于开关电源的整流和续流操作。 主要特性 ST专有工艺 在反向电压下稳定的漏电流 低正向压降 高频操作
Image: FERD20U50 FERD20U50 STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 该单整流器基于专有技术，能够在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR。 封装在powerflat中™ 5x6，ferd20u50优化用于开关电源的整流和自由旋转操作。 主要特性 ST专利整流工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作 符合ecopack®2
Image: FERD20U60DJFD FERD20U60DJFD STMicroelectronics 半导体 二极管/齐纳阵列 该单整流器基于专有技术，能够在给定硅表面实现同类最佳的VF/IR权衡。 封装在powerflat中™ 5x6，该装置用于开关电源的整流和自由旋转操作。 主要特性 ST专有工艺 反向电压下的稳定漏电流 低正向电压降 高频操作

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