关键词superso8
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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BSC093N15NS5 | Infineon Technologies | 集成电路 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 | 英飞凌的新型optimos™5 150 V功率mosfet特别适用于低电压驱动器，例如叉车和电动踏板车，以及电信和太阳能应用。新产品在不影响fom gd和fom oss的情况下，在R DS（on）和Q rr方面实现了突破性的降低（与superso8中的次之最佳相比，降低了25％），有效地减少了设计工作，同时优化了系统效率。此外，超低的反向恢复电荷（superso8中的Q rr = 26 nC）提高了换向耐用性。 | |
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BSC037N08NS5T | Infineon Technologies | 电源 功率调节 | optimos™5功率mosfet具有增强的温度额定值，以改善superso8封装的坚固性 | |
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BSC03708NS5T | Infineon Technologies | 电源 功率调节 | optimos™5功率mosfet具有增强的温度额定值，以改善superso8封装的坚固性 | |
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EVAL_600W_12V_LLC_P7 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行 | |
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EVAL_600W_12V_LLC_C7 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％ |
