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Image: AH5795-WU-7 AH5795-WU-7 Diodes Incorporated 半导体 集成电路 - IC motor / motion / ignition controllers & drivers hall driver,tsot26,T driver,tsot26,3K
Image: TLE7251VSJ TLE7251VSJ Infineon Technologies 光电子 光纤 - 收发器 tle7251v 是一款专为汽车和工业应用中的 HS can 网络而设计的收发器。作为物理总线层和 can 协议控制器之间的接口，tle7251v 将信号驱动到总线，并保护微控制器免受网络内产生的干扰。基于 canH 和 canL 信号的高对称性，tle7251v 可以在广泛的频率范围内提供极低的电磁辐射 (eme) 水平。tle7251v 采用小型无铅 PG-tson-8 封装和 PG-dso-8 封装。两种封装均符合 rohs 且无卤素。此外，PG-tson-8 封装支持自动光学检测 (aoi) 的焊点要求。tle7251vLE 和 tle7251vSJ 满足或超过 iso11898-2 的要求。tle7251v 提供数字电源输入 vio 和待机模式。其设计满足 can FD 的增强物理层要求，并支持高达 2 mbit/s 的数据速率。基于 HS can 总线接口上非常低的漏电流，tle7251v 可以在断电状态下提供出色的被动行为。这些以及其他特性使得 tle7251v 非常适合混合供电 HS can 网络。基于英飞凌智能功率技术 spt，tle7251v 具有出色的 esd 抗扰度和极高的电磁抗扰度（emi）。tle7251v 和英飞凌 spt 技术均经过 aec 认证，可以承受恶劣的汽车环境条件。两种不同的运行模式、txd 超时等额外的故障保护功能以及 canH 和 canL 信号的优化输出转换速率，使 tle7251v 成为了具有高数据传输速率的大型 HS can 网络的理想选择。
Image: ADR364AUJZ-REEL7 ADR364AUJZ-REEL7 Analog Devices Inc 电源 线性与开关电源 紧凑的tsot封装 低温度系数 A级：25 ppm/°C B级：9 ppm/°C H级：25 ppm/°C 初始精度 A级：最大值：±6 mV（adr360、adr361和adr363） B级：最大值：±3 mV（adr360、adr361和adr363） 超低输出电压噪声：6.8 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz） 低压差：300 mV 低静态电流：190 μA（最大值） 无需外部电容 输出电流：+5 mA（源电流），-1 mA（吸电流） 宽温度范围 −40°C至+125°C（A级、B级） –40°C至+150°C（H级） 通过汽车应用认证 −40°C至+150°C adr365whujz-R7 −40°C至+125°C紧凑的tsot封装 低温度系数 A级：25 ppm/°C B级：9 ppm/°C H级：25 ppm/°C 初始精度 A级：最大值：±6 mV（adr360、adr361和adr363） B级：最大值：±3 mV（adr360、adr361和adr363） 超低输出电压噪声：6.8 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz） 低压差：300 mV 低静态电流：190 μA（最大值） 无需外部电容 输出电流：+5 mA（源电流），-1 mA（吸电流） 宽温度范围 −40°C至+125°C（A级、B级） –40°C至+150°C（H级） 通过汽车应用认证 −40°C至+150°C adr365whujz-R7 −40°C至+125°C
Image: ADR06ARZ ADR06ARZ Analog Devices Inc 电源 线性与开关电源 超紧凑 sc70 和 tsot 封装 低温度系数 8 引脚 soic：3 ppm/°C（典型值） 5 引脚 sc70：9 ppm/°C（最大值） 5 引脚 tsot：9 ppm/°C（最大值） 初始精度 ±0.1% 无需外部电容器 低噪声 10 μV p-p，0.1 Hz 至 10.0 Hz (adr02) 宽工作范围 adr01：12.0 V 至 36.0 V adr02：7.0 V 至 36.0 V adr03：4.5 V 至 36.0 V adr06：5.0 V 至 36.0 V 高输出电流 10 mA 宽温度范围：–40°C 至 +125°C adr01/adr02/adr03 与行业标准 ref01/ref02/ref03 引脚兼容 adr01、adr02、adr03 和 adr06 soic（A 级）适用于汽车应用
Image: ADR03ARZ ADR03ARZ Analog Devices Inc 电源 线性与开关电源 超紧凑 sc70 和 tsot 封装 低温度系数 8 引脚 soic：3 ppm/°C（典型值） 5 引脚 sc70：9 ppm/°C（最大值） 5 引脚 tsot：9 ppm/°C（最大值） 初始精度 ±0.1% 无需外部电容器 低噪声 10 μV p-p，0.1 Hz 至 10.0 Hz (adr02) 宽工作范围 adr01：12.0 V 至 36.0 V adr02：7.0 V 至 36.0 V adr03：4.5 V 至 36.0 V adr06：5.0 V 至 36.0 V 高输出电流 10 mA 宽温度范围：–40°C 至 +125°C adr01/adr02/adr03 与行业标准 ref01/ref02/ref03 引脚兼容 adr01、adr02、adr03 和 adr06 soic（A 级）适用于汽车应用 adr03-EP 支持防务和航空航天应用（aqec 标准） 下载 adr03-EP 数据手册 (pdf) 军用温度范围 −55°C 至 +125°C 受控制造基线 组件/测试场所 制造场所 产品变更通知 可应请求提供资质数据
Image: ADR02ARZ ADR02ARZ Analog Devices Inc 电源 线性与开关电源 超紧凑 sc70 和 tsot 封装 低温度系数 8 引脚 soic：3 ppm/°C（典型值） 5 引脚 sc70：9 ppm/°C（最大值） 5 引脚 tsot：9 ppm/°C（最大值） 初始精度 ±0.1% 无需外部电容器 低噪声 10 μV p-p，0.1 Hz 至 10.0 Hz (adr02) 宽工作范围 adr01：12.0 V 至 36.0 V adr02：7.0 V 至 36.0 V adr03：4.5 V 至 36.0 V adr06：5.0 V 至 36.0 V 高输出电流 10 mA 宽温度范围：–40°C 至 +125°C adr01/adr02/adr03 与行业标准 ref01/ref02/ref03 引脚兼容 adr01、adr02、adr03 和 adr06 soic（A 级）适用于汽车应用
Image: GSPA-TSOP-48S GSPA-TSOP-48S Global Specialties 工具 原型产品 pcbs & breadboards 48 pin tsop to dip adapter
Image: TSOP-II-DIP32-ADPT TSOP-II-DIP32-ADPT SanDisk 嵌入式解决方案 配件 adapter tsop-II TO 32-dip
Image: TSOP-I-DIP32-ADPT TSOP-I-DIP32-ADPT SanDisk 嵌入式解决方案 配件 adapter tsop-I TO 32-dip
Image: TSOP-ZIF-ADPT-R1 TSOP-ZIF-ADPT-R1 SanDisk 嵌入式解决方案 配件 adapter tsop TO zif
Image: NTGS3446 NTGS3446 ON Semiconductor 半导体 power mosfet 5.1 amps, 20 volts N-channel tsop-6(5.1A,20v逻辑电平,N通道,tsop-6封装的功率mosfet)
Image: MPQ2122 MPQ2122 Monolithic Power Systems (MPS) 电源 电源管理 IC 详情 mpq2122 是一款含有内部补偿功能的 1mhz 定频双路 pwm 同步降压调节器。mpq2122 可在 2.7V 至 6V 输入电压范围内实现低至 0.608v 的输出电压，并具有 45µA 静态电流，是单节锂离子（Li+）电池供电便携式产品的理想之选。 mpq2122 集成了双路 80mΩ 上管和 35mΩ 同步整流器，无需外接肖特基二极管，因此更高效。峰值电流控制模式和内部补偿最大限度地减少了现有外部元器件的使用数量。 故障保护包括逐周期限流保护和过温关断保护。 mpq2122 采用小型 8-pin tsot23-8 封装 详情 mpq2122 是一款含有内部补偿功能的 1mhz 定频双路 pwm 同步降压调节器。mpq2122 可在 2.7V 至 6V 输入电压范围内实现低至 0.608v 的输出电压，并具有 45µA 静态电流，是单节锂离子（Li+）电池供电便携式产品的理想之选。 mpq2122 集成了双路 80mΩ 上管和 35mΩ 同步整流器，无需外接肖特基二极管，因此更高效。峰值电流控制模式和内部补偿最大限度地减少了现有外部元器件的使用数量。 故障保护包括逐周期限流保护和过温关断保护。 mpq2122 采用小型 8-pin tsot23-8 封装
Image: DMN4060SVT-7 DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet bvdss: 41v-60 1V-60v tsot26 T&R 3K
Image: NTGD3149CT1G NTGD3149CT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet comp tsop6 20v 3A TR
Image: NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet pfet tsop6 60v 2.5A 110mohm
Image: NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet comp 30v 2.9A 0.090 tsop6
Image: MBT35200MT2G MBT35200MT2G ON Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt tsop6 pnp xstr spcl
Image: TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 150v 59mohm (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 200v 126m (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 250v 200m (vgs=10v) tson-adv

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