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Image:          ADS5517 ADS5517 Texas Instruments 半导体 数据转换器 11位分辨率 105 msps最大采样率 snr=66.4 dbc105 msps和50 mhz,如果 在105 msps和50 mhz条件下,sfdr=90 dbc 信噪比=65.7 dbc105 msps170 mhz中频 在105 msps170 mhz条件下,sfdr=81 dbc 2.2 vpp差分输入范围 5 V电源操作 3.3V cmos兼容输出
Image:           ADS62C17 ADS62C17 Texas Instruments 半导体 数据转换器 11位分辨率 105 msps最大采样率 snr=66.4 dbc105 msps和50 mhz,如果 在105 msps和50 mhz条件下,sfdr=90 dbc 信噪比=65.7 dbc105 msps170 mhz中频 在105 msps170 mhz条件下,sfdr=81 dbc 2.2 vpp差分输入范围 5 V电源操作 3.3V cmos兼容输出
Image:           ADS58C28 ADS58C28 Texas Instruments 半导体 数据转换器 11位分辨率 105 msps最大采样率 snr=66.4 dbc105 msps和50 mhz,如果 在105 msps和50 mhz条件下,sfdr=90 dbc 信噪比=65.7 dbc105 msps170 mhz中频 在105 msps170 mhz条件下,sfdr=81 dbc 2.2 vpp差分输入范围 5 V电源操作 3.3V cmos兼容输出
Image:       MC12080 MC12080 ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 mc12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模,用于 1.1ghz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 sw1sw2sw3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF,如果以最低分频比 10 对 1.1 ghz 输入信号进行分频,则推荐 820 ohm 电阻来实现 1.2 vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 ghz 输入频率下的不同分频比包含在 vout 规格内。
Image:      OPA2333-HT OPA2333-HT Texas Instruments 传感器,变送器 放大器 低偏移电压:26µV(最大) 0.01-Hz至10 Hz噪声:1.5µvpp 静态电流:50µA 单电源操作 电源电压:1.8 V至5.5 V 轨对轨输入和输出 支持极端温度应用 受控基线 一个装配/试验现场 一个制造场地 提供极端温度(–55°C至210°C) 温度范围(1) 延长产品生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 德州仪器的高温产品使用 高度优化的硅(芯片)设计解决方案 和流程增强,以最大限度地 延长温度下的性能。