厂商Central Semiconductor 半导体分离式半导体 2N5551 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	2N5551
厂商：	Central Semiconductor
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors bipolar - bjt npn gen pur SS
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2N5551的详细信息

Manufacturer：	Central Semiconductor
Product Category：	Transistors Bipolar - BJT
RoHS：	In Transition
Brand：	Central Semiconductor
Configuration：	Single
Transistor Polarity：	NPN
Collector- Base Voltage VCBO：	180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO：	6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：	0.2 V
Maximum DC Collector Current：	0.6 A
Gain Bandwidth Product fT：	300 MHz
Maximum Operating Temperature：	+ 150 C
Mounting Style：	Through Hole
Package / Case：	TO-92
Continuous Collector Current：	0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min：	80
Maximum Power Dissipation：	625 mW
Minimum Operating Temperature：	- 65 C
Packaging：	Bulk
Series：	2N5551
Factory Pack Quantity：	2500

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

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