 |
| 型号： | BCP5110TA |
| 厂商： |
 Diodes Incorporated |
| 标准： |  |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt |
| 报错 收藏 赞 | |
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
BCP5110TA的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | No |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 45 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 45 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 5 V |
| Maximum DC Collector Current： | 1 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 125 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-223 |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 63 at 150 mA at 2 V |
| DC Current Gain hFE Max： | 63 |
| Maximum Power Dissipation： | 2000 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Packaging： | Reel |
| Series： | BCP5110 |
BCP5110TA相关文档
扫码手机查看更方便
同类器件
