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Infineon Technologies 
BSL606SN H6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 69 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 4.1 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 2 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSOP-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 3.1 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 7.1 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3 ns |
| Series： | BSL606 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 18 ns |
| Part # Aliases： | BSL606SNH6327XTSA1 SP000691164 |
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