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Infineon Technologies 
BSP125 E6327的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| BSP125： | |
| Product Photos： | |
| SOT223-3L： | |
| PCN Obsolescence/ EOL： | |
| Multiple Devices 28/Mar/2008： | |
| Standard Package ： | 1,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | SIPMOS® |
| Packaging ： | Tape & Reel (TR) |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 120mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2.3V @ 94µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 25V |
| Power - Max： | 1.8W |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package： | PG-SOT223-4 |
| Other Names： | BSP125E6327TSP000011100 |
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