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Infineon Technologies 
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BSP149H6327XTSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 660 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 1.4 V |
| Qg - Gate Charge： | 11 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.8 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-223-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Depletion |
| Fall Time： | 21 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 0.4 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3.4 ns |
| Series： | BSP149 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 45 ns |
| Part # Aliases： | SP001058818 |
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