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NXP Semiconductors 
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BSS123,215的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.5 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 250 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | BSS123 T/R |
BSS123,215相关文档
- SPICE model: BSS123 SPICE model (v.1.3)
- Line card: Broad small-signal MOSFET portfolio to suit a wide range of applications (v.2.0)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- S-parameter: BSS123.05_03_2012 Spice parameter (v.1.0)
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