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Infineon Technologies 
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BTS282ZE3180AXT的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 49 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 6.5 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 155 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 300 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-7 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 36 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 70 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Rise Time： | 37 ns |
| Series： | BTS282 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Part # Aliases： | BTS282ZE3180AATMA1 SP000399014 |
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