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NXP Semiconductors 
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BUK762R6-60E,118的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.97 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 140 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 324 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-404-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 58 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 50 ns |
| Factory Pack Quantity： | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 87 ns |
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- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- Thermal design: BUK762R6-60E Thermal model (v.1.0)
- Thermal model: BUK762R6-60E Thermal model (v.1.0)
- SPICE model: BUK762R6-60E Spice model (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
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