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| 型号： | BUK9107-55ATE,118 |
| 厂商： |
 NXP Semiconductors |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet trenchplus mosfet |
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Datasheet下载地址
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BUK9107-55ATE,118的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 15 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 140 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 6.2 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 272 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-426-5 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 207 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 202 ns |
| Factory Pack Quantity： | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 341 ns |
| Part # Aliases： | /T3 BUK9107-55ATE |
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