|
| 型号： | D882-TO-251 |
| 厂商： |
 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |
| 描述： | transistor（npn） |
| 报错 收藏 赞 | |
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> |
D882-TO-251的详细信息
-
亲，您要的详细信息都在下载文档里了！
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors
D882 TRANSISTOR（NPN）
TO— 251
FEATURES
1.BASE
Power dissipation
PCM 1.25W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM: 3A
2.COLLECTOR
3.EMITTER
:
Collector-base voltage
1
2
3
V(BR)CBO : 40V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
unless otherwise specified）
Parameter
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
Test
conditions
MIN
40
30
6
TYP
MAX
UNIT
V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Ic= 100μA， IE=0
Ic= 10 mA， IB=0
IE= 100μA， IC=0
VCB= 40 V， IE=0
VCE= 30 V， IB=0
VEB= 6 V， IC=0
V
V
1
10
1
µA
µA
µA
Collector cut-off current
ICEO
Emitter cut-off current
IEBO
hFE（1）
hFE（2）
VCE (sat)
VBE (sat)
VCE= 2 V, IC= 1A
VCE= 2 V, IC= 100mA
IC= 2A, IB= 0.2 A
IC= 2A, IB= 0.2 A
60
32
400
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
0.5
1.5
V
V
VCE= 5V, Ic=0.1A
f =10MHz
Transition frequency
fT
50
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
R
O
Y
GR
200-400
Range
60-120
100-200
160-320
TO-251 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
D
A
D1
C1
b1
b
e
A1
C
e1
Dimensions In Millimeters
Symbol
Dimensions In Inches
Min
Max
Min
Max
A
2.200
1.020
1.350
0.500
0.700
0.430
0.430
6.350
5.200
5.400
2.400
1.270
1.650
0.700
0.900
0.580
0.580
6.650
5.400
5.700
0.087
0.040
0.053
0.020
0.028
0.017
0.017
0.250
0.205
0.213
0.094
0.050
0.065
0.028
0.035
0.023
0.023
0.262
0.213
0.224
A1
B
b
b1
c
c1
D
D1
E
2.300TYP
0.091TYP
e
e1
L
4.500
7.500
4.700
7.900
0.177
0.295
0.185
0.311
相关器件
扫码用手机查看Datasheet
更方便
扫码关注嵌入式ARM
同类器件
新增器件
-
Intrinsic模块转换
预算：￥16000016小时前
-
八路巡检仪
预算：￥2500021小时前
-
单片机开发
预算：￥1000023小时前
-
智能充电柜软硬件设计
预算：￥11000023小时前
-
病虫害识别系统
预算：￥500001天前
-
基于Pwm的精准控制系统
预算：￥500001天前
