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Diodes Incorporated 
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DMG4511SK4-13的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N and P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 35 V, 35 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 5.3 A, 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 65 mOhms, 65 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 18.7 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.54 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TO-252-4L-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 35.6 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 4.5 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 2.8 ns |
| Series： | DMG4511S |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 33.2 ns |
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