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Diodes Incorporated 
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DMN2019UTS-13的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 5.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 24 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 0.95 V |
| Qg - Gate Charge： | 8.8 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 780 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSSOP-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 234 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 78 ns |
| Series： | DMN2019U |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 562 ns |
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