厂商EPC 半导体 FET - 单 EPC2012 数据手册，datasheet pdf下载

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EPC2012的详细信息

Datasheets：
EPC2012：
Product Photos：
EPC1012 ：
Mfg Application Notes：
Second Generation eGaN®：
FETs：
Assembling eGaN®：
FETS：
Using eGaN®：
FETs：
Product Training Modules：
Paralleling eGaN® FETs：
Video File：
EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment \| DigiKey：
PCN Design/Specification：
EPC20xx Material 10/Apr/2013：
PCN Assembly/Origin：
EPC2yyy Family Process Change 14/Dec/2013：
PCN Other：
Multiple Changes 24/Jun/2014：
Standard Package ：	1,000
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	FETs - Single
Series：	eGaN®
Packaging ：	Tape & Reel (TR)
FET Type：	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
FET Feature：	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)：	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id：	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs：	1.5nC @ 100V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：	128pF @ 100V
Power - Max：	-
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	Die
Supplier Device Package：	Die
Dynamic Catalog：	N-Channel Logic Level Gate FETs
For Use With：	917-1013-ND - BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Other Names：	917-1017-2

EPC2012