EPC2801的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| EPC2801： | |
| Product Photos： | |
| EPC28xx： | |
| PCN Assembly/Origin： | |
| EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013： | |
| Standard Package ： | 1 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | eGaN® |
| Packaging ： | Cut Tape (CT) |
| FET Type： | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 25A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 50V |
| Power - Max： | - |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | Die |
| Supplier Device Package： | Die |
| Dynamic Catalog： | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names： | 917-1035-1 |
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