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| 型号： | FDN306P |
| 厂商： |
 Fairchild Semiconductor |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet P-Ch powertrench specified 1.8V |
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FDN306P的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 12 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 2.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 40 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 500 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SSOT-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 10 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 10 ns |
| Series： | FDN306P |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 38 ns |
| Part # Aliases： | FDN306P_NL |
| Unit Weight： | 30 mg |
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