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FZ1200R12KL4C的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Modules |
| RoHS： | No |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Product： | IGBT Silicon Modules |
| Configuration： | Dual Common Emitter Common Gate |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.1 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 1900 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 400 nA |
| Power Dissipation： | 7.8 kW |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Package / Case： | IHM130 |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | +/- 20 V |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity： | 8 |
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