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HGTG20N60B3_Q的详细信息
| 制造商： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 否 |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.8 V |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 40 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 100 nA |
| 功率耗散： | 165 W |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | TO-247 |
| 封装： | Tube |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Through Hole |
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