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| 型号： | IHW20N120R3 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | igbt transistors IH seriesrev conduct igbt monolithic body |
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Datasheet下载地址
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IHW20N120R3的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.48 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 6.4 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 40 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 310 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Package / Case： | TO247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Series： | IHW20N120 |
| Factory Pack Quantity： | 240 |
| Part # Aliases： | IHW20N120R3FKSA1 SP000437702 |
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