 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
IPA60R190E6的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 20.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 190 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 63 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 151 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220FP-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 8 nS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 10 nS |
| Series： | IPA60R190 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Tradename： | CoolMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 90 nS |
| Part # Aliases： | IPA60R190E6XKSA1 SP000797380 |
扫码手机查看更方便
同类器件
