Infineon Technologies 
IPD80R1K0CEATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 5.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 800 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 31 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 83 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 8 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 15 ns |
| Series： | XPD80R1 |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 72 ns |
| Part # Aliases： | SP001130974 |
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