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| 型号： | IPP110N20NAXK |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |  |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet optimos 3 power transistor |
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Datasheet下载地址
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IPP110N20NAXK的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 88 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 10.7 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 65 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 300 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220FP-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 11 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 26 ns |
| Series： | IPP110N20 |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 41 ns |
| Part # Aliases： | IPP110N20NAAKSA1 SP000877672 |
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