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Infineon Technologies 
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IPW65R019C7的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 19 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V to 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 215 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 446 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 5 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 27 ns |
| Series： | IPW65R021 |
| Factory Pack Quantity： | 240 |
| Tradename： | CoolMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 106 ns |
| Part # Aliases： | IPW65R019C7FKSA1 SP000928646 |
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