IXYS 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
IXTP26P10T的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 15 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 90 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 4.5 V |
| Qg - Gate Charge： | 52 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 150 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 1 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 17 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 15 ns |
| Series： | IXTP26P10 |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 37 ns |
扫码手机查看更方便
同类器件
