IXYS 
IXTT1N450HV的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 4.5 kV |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 80 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3.5 V to 6 V |
| Qg - Gate Charge： | 40 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 520 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TO-268-2 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 127 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 0.46 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 60 ns |
| Series： | IXTT1N450 |
| Factory Pack Quantity： | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 58 ns |
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